北京芯合半导体有限公司评价项目信息公示表

建设单位

北京芯合半导体有限公司

地理位置

北京经济技术开发区通惠干渠路17号

联系人

张佳磊

项目信息

项目信息

项目名称

北京芯合半导体碳化硅功率器件项目

项目简介

项目名称：北京芯合半导体碳化硅功率器件项目

建设单位：北京芯合半导体有限公司

建设地址：北京经济技术开发区通惠干渠路17号

建设性质：新建项目

建设规模：拟建设一条“4英寸（兼容6英寸）”SiC功率器件生产线，建成后，SiC功率器件生产线将年产肖特基二极管SBD900万只、MOSFET300万只。

项目总投资：14000万

报告书信息

报告书信息

项目负责人

赵培

报告审核人

王立平、程然

报告编制人

杜晓悦、赵博

检测人

不涉及

建设单位陪同人

张佳磊

现场调查时间

不涉及

现场检测时间

不涉及

职业病危害因素及检测结果

评价结论

根据《国民经济行业分类（2019年修改版）》（GB/T 4754-2017）将该项目划分为“电子元件及电子专用材料制造”下的“电子专用材料制造”。《建设项目职业病危害风险分类管理目录》（2021年版）将“C398电子元件及电子专用材料制造”的风险等级分类为“严重”，结合拟建项目实际情况，经综合分析，可将拟建项目分类为职业病危害“严重”的建设项目。

根据建设单位提供资料，拟建项目基本执行了我国职业病危害预防控制的有关规定。拟建项目在今后工程的设计和工程建设中，若能将本评价报告中提出的补充措施建议予以落实，预计项目建成后，拟建项目中存在的职业病危害能够得到有效预防和控制，拟建项目满足国家对职业病防治方面的法律、法规、标准及规范的要求。

技术审查专家组评审意见

专家组建议：

完善项目背景资料的描述；细化评价单元的划分；细化应急救援措施的分析与评价。

专家组同意通过该《预评价报告》，《预评价报告》按专家组意见修改完善。